长鑫科技科创板首日暴涨465%:链上中美地址看多,韩国地址做空

长鑫科技上市首日收涨465%,成交额超1400亿。机构野村看涨至116元,链上中美地址偏多而韩国地址做空76万美元。分析师认为短期难入HBM市场,全球DRAM短缺格局不变。

长鑫科技科创板首日暴涨465%:链上中美地址看多,韩国地址做空

7月27日,“国内存储第一股”长鑫科技登陆科创板,首日收涨465.8%,全天成交额超1400亿元,总市值达3.28万亿元,创下多项A股历史纪录。上市首日即开盘破3万亿市值,成为科创板市值榜首,并创下首只单日成交额突破千亿元个股等纪录。

机构目标价分歧:野村看涨至116元,东北证券相对保守

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野村证券给予“买入”评级,目标价116元,对应20倍市盈率,隐含涨幅123.9%,认为长鑫DRAM芯片是“中国皇冠上的明珠”。其模型预计长鑫营收将从2025年618亿元升至2028年7733亿元,净利润从不到19亿元升至3931亿元。东北证券则给出10-15倍PE估值对应2.85-4.27万亿元市值,目标价隐含约42%上涨空间。

链上资金分化:中美偏多,韩国严重偏空

上市前夜,Hyperliquid上可归因的长鑫科技钱包数据显示:美国标签钱包净多约125.5万美元,中国香港净多约86.9万美元,中国内地净多约6.7万美元;韩国标签钱包则持有约76万美元空仓,空多比约38倍,成为做空主力。若以开盘价计算,韩国空仓理论浮亏约4.85万美元。

分析师:上市暴涨难改全球DRAM短缺格局

Milk Road分析师Melvin指出,长鑫月晶圆产能约29万-32万片,远低于三星、SK海力士,且美国出口限制制约扩张,短期内难进入HBM市场。全球存储短缺周期仍由三星、SK海力士、美光主导。

长鑫上市首日流通份额仅6.63%,低流通高市值特征引发FOMO。创始人朱一明家族财富飙升近300%至139亿美元,计划将40%作为奖金分配给员工。

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