8月4日至6日，全球存储产业峰会FMS 2026在美国圣克拉拉举行。会上，SK海力士与闪迪联合发布了高带宽闪存（HBF）的首个标准规格，该规格支持8层与16层堆叠，单颗容量最高512GB，读带宽区间为0.4至3.0 TB/s。官方定位为HBM之下新增的一级，而非替代品。三星则发布了V10 BV-NAND，堆叠超过400层，首次采用晶圆键合工艺，并预览了zHBM与zNAND-O概念产品。铠侠推出了首款结合PCIe 6.0、332层BiCS10与直接冷板液冷的企业级SSD CM10。
同日，摩根士丹利发布亚洲科技报告《Memory – A Small Wrinkle》，维持对SK海力士和三星电子的“增持”评级，目标价分别为260万韩元和38.1万韩元，对应约74%和65%的潜在上行空间。报告将2027年云资本开支增速预测从14%上调至29%，并预计内存行业将在2026年四季度转入周期后段。
存储技术路线分化与产能扩张
FMS 2026上，三家存储巨头展示了互不兼容的技术路线。SK海力士与闪迪的HBF标准通过OCP发布，旨在HBM之下增加一级，以缓解AI内存墙问题。三星的BV-NAND采用晶圆键合工艺，堆叠层数超过400层，但zHBM与zNAND-O仍处于概念阶段。铠侠则从散热角度切入，将直接冷板液冷集成至企业级SSD。此外，SK海力士发布了第10代375层4D NAND，能效比提升2.5倍。据报道，三星计划将HBM月产能从约17万片晶圆提升至约25万片，增幅约47%，目标2026年底达成。
摩根士丹利上调云资本开支预测
摩根士丹利报告指出，美国四家大型云厂商的财报和管理层表态显示，Alphabet和微软的云计算需求仍高于内部产能，亚马逊预计2026年产能不足，2027年部分产能已被预订，Meta预计算力供给持续偏紧。基于此，报告将2027年云资本开支增速预测上调至29%。报告认为，AI算力需求是内存周期的主要结构性支撑，但价格涨幅已从高位回落，预计DRAM和NAND合同价环比涨幅将从一季度96%和88%降至四季度6%和3%。
长期供货协议与周期风险
报告强调，长期供货协议（LTA）提高了订单可见度，但无法完全消除周期波动。SK海力士已与约10家客户完成LTA谈判，协议通常持续五年，部分包含保证金。三星计划将60%至70%产能纳入LTA，已与五家大型数据中心客户达成协议，另有五家在谈判中。报告同时指出，中国厂商长鑫存储和长江存储的扩产可能带来长期风险，长鑫存储规划最早2027年在中国市场供应HBM。当前DRAM毛利率接近90%，处于历史高位，可能吸引新增供给。
摩根士丹利对SK海力士2026年预期EPS上调13%，但营业利润预测下调7%；三星电子2026年预期EPS下调10%。报告认为，内存股近期估值回落已反映部分周期见顶担忧，但高目标价押注AI需求延长盈利周期，而非价格无限上涨。
声明：文章不代表CHAINTT观点及立场，不构成本平台任何投资建议。投资决策需建立在独立思考之上，本文内容仅供参考，风险 自担！转载请注明出处：https://www.chaintt.cn/65253.html